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XPS und ESCA- Spektroskopie

Prinzip

• Erzeugung und Analyse von Photoelektronen durch Röntgenanregung

Anwendung

• Elementar-, Morphologie- und Strukturanalysen von Oberflächen im Mikrometer- und Nanometerbereich, Tiefenprofilanalysen, insbesondere Analysen von chemischen und elektrochemischen Prozessen an Metall-, Halbleiter- und Polymeroberflächen
• Analyse von Koordination und Bindung in Komplexen

Parameter

• Informationstiefe: 1 bis 3 nm
• Laterale Auflösung: >30 µm
• Elementnachweis für Z>4

Interessenten

• Halbleiterindustrie
• Chiphersteller
• Chemische Industrie